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磁敏元件

霍尔元件


    霍尔元件是磁电转换芯片的一种。其工作基于霍尔原理。


    霍尔元件在恒流驱动条件下:VH= RH/d ∙ Ic ∙B (RH是霍尔系数)
    对于特定霍尔元件,其霍尔系数RH与厚度d为确定值,则霍尔电压VH正比于驱动电流Ic和正交磁感应密度B。霍尔系数RH是一个元件内部参数,其与材料种类、掺杂浓度n且和环境温度Ta强相关。
    霍尔元件在恒压驱动条件下 VHnW/L∙ VC∙B(μn为电子迁移率)
    本公司霍尔元件采用两种材料:砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)。
    在常温(300K)环境下这两种化合物半导体材料及相应霍尔元件与硅(Si)材料及其霍尔元件性能特性:
材料 电子迁移率μn[cm2/Vs] 禁带宽度Eg[eV] 霍尔电压VH[mV] 对应驱动条件
Si 1450 1.12 6 3V、50mT
GaAs 8000 1.42 40 3V、50mT
InSb 75000 0.17 250 1V、50mT
    各类霍尔元件灵敏度对比:InSb > GaAs > Si
    各类霍尔元件灵温度稳定性对比:GaAs > Si > InSb